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Samsung, V-NAND a 64 livelli e nuovi Z-SSD in arrivo

In occasione del Flash Memory Summit - in corso di svolgimento in California -, Samsung ha presentato alcune novità che l'azienda ha in serbo per i mesi a venire. Nel 2014 il colosso sudcoreano ha presentato i chip 3D NAND che, rispetto alle memorie NAND tradizionali, permettono di realizzare unità SSD notevolmente più capienti. In un singolo chip, all'epoca, venivano "impilati" 32 livelli. Valore che è stato successivamente portato a 48 da alcuni produttori concorrenti.

Samsung non è stata a guardare ed ha appena presentato memorie 3D NAND a 64 livelli, in grado di memorizzare 512 Gbit (64 GB) per singolo livello. La società ha potuto così porre nuovamente le sue memorie V-NAND (l'appellativo scelto per riferirsi alle sue 3D NAND) in condizione di leadership.

Samsung, V-NAND a 64 livelli e nuovi Z-SSD in arrivo

Le nuove V-NAND di Samsung supportano una velocità dell'interfaccia più elevata (800 Mbps). Ciò consente di ridurre la penalizzazione in termini prestazionali che si registra quando si vanno ad accoppiare più memorie flash in un minor numero di chip indipendenti.


Grazie alle "densità" di cui stiamo parlando, Samsung può arrivare a porre 1 TB di memoria flash TLC in uno stesso package. Ciò significa che tutti i nuovi SSD di Samsung, in ogni singola linea di prodotto, saranno disponibile anche in versioni decisamente più capienti rispetto ad oggi.

Samsung si appresta anche a lanciare i primi Z-SSD. Si tratta di unità che di fatto rappresentano la risposta all'offerta 3D Xpoint di Intel e Micron (vedere QuantX, ecco il nome delle unità 3D Xpoint di Micron).


I tecnici dell'azienda hanno preferito non fornire alcun dettaglio sul funzionamento delle Z-NAND, memorie sulle quali si baseranno i nuovi SSD della società sudcoreana. I portavoce di Samsung si sono limitati a dichiarare che gli Z-SSD colmeranno il divario che attualmente intercorre fra DRAM e SSD.

I primi Z-SSD saranno commercializzati a partire dal prossimo anno, anche nei tagli da 1, 2 e 4 TB.

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