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Samsung presenta i chip di memoria embedded da 1 TB eUFS 2.1

Samsung presenta i chip di memoria embedded da 1 TB eUFS 2.1

Saranno utilizzati per i dispositivi di fascia alta e debutteranno sul mercato entro il prossimo mese di giugno. Principali caratteristiche e prestazioni.

Dopo l'annuncio di Toshiba dei giorni scorsi Toshiba inizia a produrre le prime memorie UFS 3.0: le caratteristiche, Samsung non poteva stare a guardare.
La società sudcoreana ha appena presentato la sua nuova soluzione per lo storage, inizialmente destinata ai dispositivi di fascia più alta, siano essi smartphone, tablet, notebook o convertibili.

Il nuovo chip embedded svelato da Samsung si chiama eUFS 2.1 e ha una capienza di ben 1 Terabyte, molto di più rispetto alle memorie da 128 GB che aveva presentato quattro anni fa e a quelle da 512 GB immesse sul mercato nel 2017.

Samsung presenta i chip di memoria embedded da 1 TB eUFS 2.1

Il chip Samsung eUFS 2.1 ha dimensioni pari a 11,5 x 13 mm: si tratta quindi di un componente molto compatto, formato da 16 layer di memorie 3D NAND da 512 Gb (64 GB), che integra il controller nel medesimo package così da risultare ancora meno ingombrante.


Le prestazioni si annunciano convincenti: i nuovi chip eUFS 2.1 dovrebbero raggiungere i 1.000 MB/s e i 260 MB/s, rispettivamente, in lettura/scrittura sequenziale; 58.000/50.000 IOPS nelle operazioni di lettura/scrittura random 4K.

Stando a quanto dichiarato dai responsabili di Samsung, i chip embedded appena presentati dovrebbero essere resi disponibili entro giugno 2019 quindi integrati nei device destinati agli utenti finali.

Samsung presenta i chip di memoria embedded da 1 TB eUFS 2.1