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Toshiba migliora l'efficienza dei chip NAND 3D con la tecnologia TSV

Toshiba migliora l'efficienza dei chip NAND 3D con la tecnologia TSV

La tecnologia "through-silicon via" (TSV) consente di realizzare memorie flash NAND più veloci e contraddistinte da consumi energetici inferiori.

Quando si parla di storage, i tecnici e gli appassionati tendono a focalizzarsi su dispositivi di memorizzazione che siano performanti, economici e affidabili.
I clienti enterprise e le aziende che gestiscono i data center, invece, concentrano la loro attenzione soprattutto sugli aspetti energetici.

Toshiba ha annunciato che i nuovi chip NAND 3D TLC BiCS utilizzano la tecnologia through-silicon via (TSV): essa aiuterà a ridurre in maniera significativa la latenza consentendo throughput importanti ed elevati IOPS per watt.

Toshiba migliora l'efficienza dei chip NAND 3D con la tecnologia TSV

Al momento, quelle presentate da Toshiba sono le prime memorie flash NAND a utilizzare la tecnologia TSV nella struttura.
Si chiamano TSV i collegamenti elettrici verticali che passano attraverso il die di silicio e che permettono di realizzare interconnessioni capaci di migliorare l'efficienza energetica e migliorare l'ampiezza di banda.


Secondo i portavoce di Toshiba i chip BiCS TSV garantiscono un'efficienza energetica doppia rispetto alle attuali memorie flash realizzati usando la tradizionale tecnica del wire bonding.
L'aspetto negativo è che i chip TSV sono contraddistinti da costi produttivi maggiori essendo più complessi da produrre.

Toshiba realizzerà inizialmente NAND TSV di capacità pari a 512 GB e 1 TB con interfaccia a 1066 Mbps.
I primi prototipi sono già stati posti in produzione il mese scorso e Toshiba ha in programma l'avvio della commercializzazione prima della fine dell'anno.
Alcuni campioni di chip BiCS TSV saranno pubblicamente mostrati in occasione dell'edizione 2017 del Flash Memory Summit di Santa Clara (California), nella seconda settimana di agosto.