Futuro DRAM e HBM: la roadmap SK hynix 2025 per memoria ad alte prestazioni AI e HPC

Il futuro della memoria volatile ad alte prestazioni continua a passare attraverso l’evoluzione della DRAM tradizionale. In occasione dell’SK AI Summit 2025, SK hynix ha presentato la sua roadmap in tema di DRAM, delineando in maniera generale le tendenze dei prossimi anni, con un chiaro focus sulle applicazioni AI e HPC (High-Performance Computing).

Le informazioni condivise da SK hynix, una delle principali aziende mondiali nel settore dei semiconduttori, specializzata nella produzione di memorie DRAM, NAND Flash e soluzioni di memoria ad alte prestazioni, offre un interessante spaccato sull’evoluzione delle memorie volatili ad accesso casuale (memoria dinamica).

DRAM tradizionale: la colonna portante dei server AI

Nonostante le innovazioni in arrivo, DDR, GDDR e LPDDR continueranno a soddisfare le esigenze dei server e dei sistemi AI per molti anni:

• DDR5 manterrà un equilibrio tra costo, densità e prestazioni, evolvendosi in formati come MRDIMM Gen2 (2026-2027) con velocità fino a 12.800 MT/s e in CXL Memory Expanders di seconda generazione (2027-2028).
• DDR6 è prevista solo verso il 2029-2030; nel frattempo, DDR5 rimarrà la memoria principale dei server mainstream.
• LPDDR6, con funzionalità data center-oriented, promette alta capacità, prestazioni elevate e minori consumi energetici. Moduli SOCAMM2 basati su LPDDR6 potrebbero arrivare verso la fine del decennio, allineandosi con i futuri processori Nvidia post-Vera (famiglia di GPU Nvidia sviluppata principalmente per applicazioni AI e data center, come addestramento e inferenza di modelli di intelligenza artificiale ad alta intensità di calcolo). Soluzioni LPDDR6-PIM (Processing-In-Memory) sono attese per applicazioni specializzate entro il 2028.
• GDDR7 continuerà a servire nicchie specifiche come acceleratori di inferenza, combinando alte prestazioni e costi contenuti, ma con capacità limitata. La futura GDDR8 è soltanto ipotizzata da SK hynix come evoluzione.

HBM: la memoria che offre massima larghezza di banda

Per le applicazioni che richiedono una larghezza di banda estremamente elevata, come AI e HPC, SK hynix continuerà a sviluppare HBM4, HBM4E, HBM5 e HBM5E, con cicli di rilascio ogni 1,5-2 anni fino al 2031.

Queste memorie sono 3D-stacked DRAM con interconnessioni verticali tramite Through-Silicon Vias (TSV) che permettono di raggiungere larghezze di banda fino a centinaia di GB/s per stack, con densità molto superiori alle DRAM tradizionali. HBM4E e HBM5 introdurranno inoltre miglioramenti nell’efficienza energetica e nella gestione termica, riducendo i consumi per gigabyte trasferito, mentre le interfacce a più canali consentono un accesso altamente parallelo ai dati, essenziale per carichi di lavoro AI e HPC.

È interessante notare come HBM5, probabilmente destinata a GPU Nvidia Feynman (fine 2028), potrebbe arrivare solo nel 2029-2030. Per esigenze personalizzate, saranno disponibili moduli custom HBM4E, HBM5 e HBM5E.

HBF: una promessa ancora lontana

Le memorie High-Bandwidth Flash (HBF), che mirano a coniugare le prestazioni di HBM con la capacità delle 3D NAND, non rappresentano una minaccia immediata per le DRAM.

SK hynix prevede il loro arrivo solo dopo il 2030, poiché le HBF richiedono lo sviluppo di nuovi supporti fisici e la definizione di standard condivisi con altri produttori di NAND, tra cui SanDisk.

In altre parole, HBF potrebbe diventare un complemento innovativo per applicazioni particolarmente esigenti in termini di capacità e banda, ma non sostituirà la DRAM tradizionale nel breve e medio periodo.

L’immagine in apertura è di SK hynix.