SK hynix: investimenti da 38,1 miliardi di dollari per produrre più DRAM e NAND

SK hynix ha approvato un investimento da 54,3 trilioni di won, poco più di 38,1 miliardi di euro, per aumentare la produzione di memorie in Corea del Sud. Il piano, con orizzonte fino al 2031, assegna 21,5 miliardi di euro al secondo impianto del polo di Yongin e 11,7 miliardi alla fabbrica M17 di Cheongju.

La nuova spesa risponde alla crescita dei data center AI, che utilizzano sempre più DRAM ad alte prestazioni, HBM e memoria NAND. L’obiettivo è aumentare la capacità produttiva in un settore in cui la domanda sta evolvendo rapidamente e richiede tecnologie complementari per calcolo, archiviazione e trasferimento dei dati.

Yongin e Cheongju rafforzano la memoria AI

La quota principale dell’investimento finanzierà Y2, il secondo impianto previsto nel polo di Yongin. I lavori dovrebbero iniziare nel luglio 2027, mentre la prima camera bianca dovrebbe essere pronta nel giugno 2029. La fabbrica produrrà DRAM avanzata, inclusa la HBM destinata agli acceleratori per l’Intelligenza Artificiale.

HBM, acronimo di High Bandwidth Memory, collega più strati di DRAM attraverso un’interfaccia ad ampia banda e un packaging avanzato. Questa struttura consente di trasferire rapidamente grandi quantità di dati tra la memoria e GPU o acceleratori AI, riducendo uno dei principali colli di bottiglia dei sistemi moderni. La produzione richiede però processi complessi, camere bianche, apparecchiature specializzate e controlli rigorosi sulla resa.

Il secondo progetto riguarda M17, la nuova fabbrica di Cheongju dedicata alla memoria NAND flash. I lavori dovrebbero partire nel febbraio 2027 e la prima camera bianca è attesa per dicembre 2028. La NAND viene impiegata negli SSD, nei PC, negli smartphone e nei server, dove conserva i dati anche quando l’alimentazione è assente.

Una capacità che arriverà gradualmente

DRAM, HBM e NAND svolgono funzioni diverse nei data center AI. La DRAM tradizionale offre bassa latenza e viene utilizzata come memoria di lavoro, mentre la HBM privilegia la larghezza di banda vicino agli acceleratori. La NAND, invece, garantisce capacità elevate a un costo per bit inferiore ed è adatta per dataset, checkpoint dei modelli, log e archivi.

L’espansione non produrrà effetti immediati sul mercato. Tra l’approvazione dei fondi, la costruzione degli edifici, l’installazione degli strumenti e la qualificazione dei processi possono trascorrere diversi anni. Anche dopo l’apertura delle camere bianche, gli impianti devono affrontare una fase di ramp-up per raggiungere la resa e la capacità nominale.

Per HBM la sfida è ancora più complessa, perché la produzione coinvolge l’impilamento verticale dei die, i collegamenti TSV e il packaging avanzato. SK hynix dovrà quindi aumentare non soltanto la capacità delle linee DRAM, ma anche quella dedicata a test e assemblaggio.

Il piano di investimenti rappresenta dunque una scommessa sulla durata della domanda legata all’AI. Yongin rafforzerà DRAM e HBM, mentre M17 aumenterà la disponibilità di NAND. I primi effetti concreti dovrebbero emergere soprattutto tra la fine del 2028 e il 2029, sempre che la crescita dei data center continui a sostenere gli investimenti.