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Memorie NRAM, più longeve e veloci rispetto alle NAND flash

Fujitsu è il primo produttore al mondo ad aver programmato la produzione in massa delle nuove memorie Nano-RAM (NRAM).
Annunciate lo scorso anno, le NRAM superano di 1.000 volte le performance delle DRAM e sono realizzate usando nanotubi di carbonio. Le NRAM modificano anche una "storica" caratteristica delle DRAM: allo spegnimento del sistema, le memorie saranno capaci di mantenere memorizzati i dati in esse presenti.

Stando a quanto dichiarato dai portavoce di Fujitsu i primi esemplari di memorie NRAM dovrebbero essere pronti entro fine 2018 e potranno utilizzare la medesima interfaccia usata dalle DDR4.

Memorie NRAM, più longeve e veloci rispetto alle NAND flash

Secondo Nantero, società che ha inventato le NRAM (Fujitsu ne utilizzerà la tecnologia in licenza), nel corso dell'ultimo anno diverse impianti a livello mondiale sono stati utilizzati per produrre le prime unità di memoria compiendo diversi esperimenti sulla loro efficienza e affidabilità.


I primi chip saranno realizzati usando un processo costruttivo a 55 nm che permetterà di realizzare moduli piuttosto limitati, capaci di memorizzare megabyte di dati. Il progetto, però, è quello di passare rapidamente ai 40 nm.

Inizialmente le NRAM saranno impiegate essenzialmente nei data center e sui server. Anche i dispositivi consumer potranno comunque beneficiare della nuova tecnologia: ci sarà la possibilità di tenere un device in stand-by anche per mesi.

Per il momento, anche durante le sperimentazioni, le NRAM sono state create usando una struttura planare ma nulla vieta, esattamente come accaduto per le celle NAND, usare una architettura tridimensionale a più livelli.

Memorie NRAM, più longeve e veloci rispetto alle NAND flash

Allo stato attuale, poi, le NRAM possono essere prodotte ad un costo che è pari alla metà di quello delle DRAM; quando la densità dei bit verrà aumentata, i costi potranno scendere ancora, come già successo per le NAND.


Uno dei più grandi vantaggi delle NRAM è la loro estrema longevità. Se una cella NAND può sostenere un numero finito di cicli P/E (program/erase), di solito pari a 5.000 - 8.000 (le migliori memorie flash possono arrivare, grazie alla correzione dell'errore e ad una serie di ottimizzazioni software al massimo a 100.000 cicli P/E), nel caso delle NRAM si può arrivare a 1012 cicli P/E e a 1015 cicli di sola lettura.
Tutto ciò grazie alla robustezza dei nanotubi di carbonio, pari 1/50.000 di un capello umano ma resistenti come l'acciaio.

Usando le specifiche DDR4, poi, le memorie NRAM possono trasferire 2.400 Mbps, più del doppio rispetto alle flash NAND.

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