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giovedì 30 giugno 2022 di 1467 Letture
Samsung: iniziata la produzione dei chip GAAFET a 3 nm

Samsung: iniziata la produzione dei chip GAAFET a 3 nm

La società sudcoreana batte sul tempo TSMC e presenta i suoi primi chip a 3 nm basati sulla tecnologia GAAFET. Cosa cambia e perché segnano un importante cambio di passo.

Samsung era rimasta un po’ indietro rispetto a TSMC per ciò che concerne la produzione dei chip FinFET.

Con l'arrivo dei primi chip GAAFET (Gate-All-Around FET) a marchio Samsung, la società sudcoreano starebbe cominciando a invertire la tendenza sfruttando anche il fatto che TSMC ha dovuto tirare il fiato.

La tecnologia GAAFET utilizza dei "nanocollegamenti" tra source e drain, terminali del transistor. Quest'ultimo viene inoltre dimensionato in maniera tale che il gate sia posizionato al di sotto del canale, non soltanto nelle parti superiore e laterali. Il fine ultimo è quello di impilare verticalmente le estremità del transistor anziché solamente di lato: da qui il termine Nanosheet che viene comunemente usato per riferirsi a questi chip per la somiglianza dello schema con le pagine di un libro.

Samsung chiama i suoi chip MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) perché utilizzano Nanosheet invece di nanotubi per i canali.

La novità è che il colosso asiatico ha confermato l'avvio della produzione in serie dei primi chip MBCFET a 3 nm che arriveranno sul mercato, all'interno di prodotti commerciali, già nei prossimi mesi.

Samsung: iniziata la produzione dei chip GAAFET a 3 nm

Il vantaggio di MBCFET è che il passaggio di corrente può essere regolato allargando o restringendo il Nanosheet consentendo la creazione di progetti con maggiore potenza o con un minor consumo energetico a seconda delle esigenze del cliente.

Samsung afferma che i consumi possono essere ridotti fino al 45% con le stesse prestazioni di un chip da 5 nm e che è possibile migliorare le prestazioni del 23% a parità di consumo riducendo l'area occupata del 16%.

La società parla anche della seconda generazione di chip MBCFET a 3 nm che ridurrebbe il consumo energetico fino al 50%, migliorerebbe le prestazioni fino al 30% e ridurrebbe l'area occupata fino al 35%.

In seno al Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE), l'azienda coreana continua a rafforzare i legami con nomi quali Ansys, Cadence, Siemens e Synopsys affinché i loro strumenti di progettazione, ampiamente utilizzati nel settore, siano pienamente compatibili con le strutture e le metriche del processo litografico MBCFET a 3 nm.

Queste attenzioni permetteranno di ridurre i tempi di progettazione, verifica e spedizione alla produzione oltre ad aumentare l'affidabilità dei prodotti.


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