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martedì 29 novembre 2022 di 972 Letture
Samsung presenta la memoria GDDR6W, per raddoppiare densità e rendimento delle DRAM

Samsung presenta la memoria GDDR6W, per raddoppiare densità e rendimento delle DRAM

Samsung colma il divario tra le memorie GDDR6 e le HBM. Quali sono le principali novità di GDDR6W in attesa che diventino uno standard.

Samsung sta facendo passi da gigante nello sviluppo della memoria GDDR6: acronimo di Graphics Double Data Rate, GDDR è una tecnologia progettata per le schede grafiche con l'obiettivo di aumentare significativamente le prestazioni della memoria integrata (una volta la si chiama VRAM ovvero Video RAM).

Il produttore sudcoreano ha presentato le sue nuove GDDR6W che ambiscono a colmare il gap con HBM2E risultando ugualmente performanti seppur meno costose.

Nelle memorie GDDR6W il chip passa da 32 a 64 bit e viene utilizzato un nuovo sistema di packaging (fan-out wafer-level packaging, FWOLP) che basa il suo funzionamento sulla creazione di una doppia file di DRAM così da raddoppiare efficacemente il bus dati.

Samsung presenta la memoria GDDR6W, per raddoppiare densità e rendimento delle DRAM

L'idea è non soltanto raddoppiare la capacità dei chip ma anche duplicare la larghezza di banda ottenibile.

Samsung afferma che le memorie GDDR6W sono compatibili pin-to-pin con GDDR6: è quindi possibile utilizzarle sulle attuali schede senza apportare altre modifiche.

Le prime memorie GDDR6W presentati da Samsung hanno una capacità di 4 GB per chip a fronte di uno spessore che risulta inferiore del 36% rispetto alle GDDR6 non superando gli 0,7 mm. Montando questi chip nelle schede video, quindi, il produttore dovrebbe modificare la struttura del dissipatore.

Samsung presenta la memoria GDDR6W, per raddoppiare densità e rendimento delle DRAM

HBM2E viene comunemente presentata come la memoria DRAM più veloce al momento esistente. AMD, insieme ad alcuni altri giganti del settore, ha presentato High Bandwidth Memory (HBM) nel 2015 con la sua gamma Radeon R9 Fury (nome in codice "Fiji"). Il vantaggio delle memorie HBM, che si sviluppano in verticale, è la capacità di fornire una larghezza di banda e un throughput davvero elevati. Nel complesso HBM è molto più efficiente di GDDR pur occupando molto meno spazio.

Ebbene, Samsung è certa di aver colmato questa lacuna: un sistema basato su chip GDDR6W può raggiungere una larghezza di banda effettiva simile a quella di HBM2E sebbene utilizzi solo il doppio dei chip. Otto GDDR6W con un bus totale a 512 bit e una velocità di 22 Gbps forniscono una larghezza di banda totale di 1,4 TB/s mentre quattro HBM2E con bus a 4.096 bit, una velocità di 3,2 Gps arrivano a 1,6 TB/sec. Come accennato, inoltre, GDDR6W ha un costo di incapsulamento inferiore poiché non richiede microcontatti eliminando lo strato intermedio.

GDDR6W sarà standardizzato da JEDEC, organismo della Electronic Industries Alliance (EIA) che si occupa di definire e approvare regole condivise per l'utilizzo dei semiconduttori. Sarà quindi uno standard aperto utilizzabile da chiunque desideri produrlo o integrarlo nei propri progetti.


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