Samsung, processori a 7 nm all'inizio del 2018

Già dallo scorso anno Samsung aveva cominciato a produrre chip avvalendosi di un processo litografico a 10 nm, seppur limitandosi alle sole memorie DDR4.
Quest’anno, come più volte ricordato, ha invece avviato la produzione dei nuovi SoC Snapdragon 835 per Qualcomm (e molto probabilmente ne terrà un’ampia partita per sé, in vista del lancio mondiale del Galaxy S8: LG G6 senza Snapdragon 835? I nuovi processori se li prende Samsung) usando un processo costruttivo a 10 nm (LBE FinFET).

Secondo il direttore di Samsung LSI l’azienda sudcoreana sarebbe pronta per un ulteriore passo in avanti verso una miniaturizzazione ancora più spinta: all’inizio del 2018 Samsung potrebbe avere già pronto il suo primo processore Exynos a 7 nm.

L’espressione processo costruttivo, nel caso di CPU e SoC, lo ricordiamo, ha a che fare con le dimensioni dei transistor. In particolare, il valore espresso in nanometri (nm) indica la dimensione media del gate di ciascun transistor usato nel processore (per confronto, basti pensare che il virus dell’HIV è grande circa 120 nm, un globulo rosso umano circa 6.000-8.000 nm e un capello quasi 80.000 nm).

Samsung ha spiegato che per portare così all’estremo la miniaturizzazione dei suoi processori, le attuali tecnologie non risultano idonee: per lavorare a 7 nm servirà un procedimento di nanolitografia basato sull’impiego della Extreme ultraviolet lithography (EUV) che, a sua volta, presuppone l’utilizzo di un raggio laser ad elevata energia nello spettro dell’ultravioletto.

Gli stabilimenti di Samsung nei quali vengono prodotti sono stati una delle maggiori fonti di ricavo per l’azienda, nel 2016.
È in queste fabbriche che si producono i processori A10 Fusion di Apple, una parte dei chip Polaris di AMD, i GP107 utilizzati nelle schede video GTX 1050 e 1050 Ti di Nvidia oltre a molti altri.

L’ulteriore miniaturizzazione dei SoC a 7 nm consentirà di ridurre, ovviamente, gli spazi e i consumi energetici. Per quanto riguarda l’ingombro, la tendenza è comunque quella di mantenere le stesse dimensioni così da aggiungere un numero maggiore di transistor e aumentare la potenza di calcolo.

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