Micron annuncia l'arrivo delle sue memorie 3D NAND di tipo QLC

Vari produttori stanno da tempo sviluppando nuovi tipi di memorie NAND che condurranno alla realizzazione di SSD di dimensioni ancora più contenute.
Delle società più importanti solamente Micron non aveva ancora annunciato l’arrivo sul mercato delle sue memorie QLC a quattro bit per cella.
Samsung, Toshiba, Western Digital e SK Hynix avevano invece illustrato il loro impegno già lo scorso anno.

Adesso anche Micron si è allineato ai principali concorrenti mostrando un wafer di memoria 3D NAND QLC con l’obiettivo di ridurre drasticamente i costi di produzione, aumentando la densità dei dati e, in ottica datacenter, permettendo l’installazione di un numero maggiore di SSD per singolo rack.

La creazione di memorie QLC non è affatto banale: se già una cella di memoria TLC (triple-level cell, a tre bit) deve mantenere e gestire otto possibili valori (2³) corrispondenti ad altrettanti livelli di tensione, le QLC o quad-level cell devono mantenere addirittura 16 valori (2⁴ dove 4 sono appunto i bit gestiti). Lo abbiamo spiegato nell’articolo Hard disk o SSD, caratteristiche e differenze.

La registrazione dei vari livelli di tensione può risultare imprecisa, soprattutto per il minor gap che sussiste tra un valore di tensione e l’altro.
Fortunatamente, sono stati compiuti notevoli passi in avanti per ciò che riguarda l’efficienza delle memorie; per non parlare dei processi di fabbricazione più avanzati e dell’utilizzo di controller migliori.

Micron non ha ancora indicato la massima capienza che prevede di ottenere nel caso dei suoi nuovi QLC. Inoltre, al momento non si parla di un’eventuale presentazione sul mercato consumer.