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Samsung: ecco le memorie V-NAND di sesta generazione. Più capienti, veloci e meno costose

Samsung: ecco le memorie V-NAND di sesta generazione. Più capienti, veloci e meno costose

La società sudcoreana ha annunciato che le nuove memorie sono già in produzione e potranno presto essere usate per confezionare unità SSD ancora più capienti, performanti e meno costose. Alla vigilia del Flash Memory Summit, evento che si svolgerà in California, Samsung si presenta con un importante asso nella manica.

Qualche anno fa Samsung ha dato il via all'era delle morie 3D NAND e ancora oggi l'azienda sudcoreana gode di un certo vantaggio competitivo rispetto alla concorrenza.
Una dimostrazione lampante è l'annuncio odierno: Samsung ha infatti presentato le prime V-NAND composte da 136 layer impilati di tipo TLC (tre bit per cella) e 256 Gbit (32 GB) di capacità, appena messe in produzione e pronte a breve per essere installate nelle nuove unità SSD.

Samsung: ecco le memorie V-NAND di sesta generazione. Più capienti, veloci e meno costose

I tecnici della società asiatica hanno spiegato che le nuove memorie - di sesta generazione - a 136 livelli forniscono il 40% di capacità in più rispetto alla struttura a 96 strati della generazione precedente e nonostante questo aspetto non sia stato apertamente affrontato, chip del genere possono essere prodotti con una significativa riduzione dei costi produttivi. Risparmio che inevitabilmente si rifletterà anche sugli SSD che saranno immessi in futuro sul mercato.


Samsung ha fatto inoltre riferimento a un miglioramento della produttività del 20% principalmente riconducibile alla riduzione dei "nano fori" praticati per far comunicare i vari livelli che compongono la memoria: da 930 milioni di fori si è adesso passati a 670 milioni, con una drastica semplificazione della complessità del processo produttivo.

L'azienda ha inoltre migliorato la velocità di trasferimento di queste memorie 3D NAND modificando leggermente l'interstrato di comunicazione. Il nuovo circuito di comunicazione è ottimizzato per evitare l'aumento degli errori e delle latenze in fase di lettura visto il crescere del numero di livelli impiegati.
La velocità di trasferimento dati è stata portata al di sotto di 450 μs per la scrittura e 45 μs per la lettura. Samsung parla di un miglioramento della velocità del 10% e di una riduzione dei consumi quantificabile in un 15%.


Con questo nuovo importante passo in avanti, Samsung prevede già che la settima generazione delle sue memorie V-NAND supererà i 300 strati: verranno infatti sovrapposti tre moduli senza compromettere le prestazioni o l'affidabilità.

Samsung: ecco le memorie V-NAND di sesta generazione. Più capienti, veloci e meno costose