Samsung presenta le nuove V-NAND, prestazioni ulteriormente migliorate

Samsung è stata la prima società al mondo a presentare l’utilizzo di memorie 3D NAND, che l’azienda sudcoreana chiama V-NAND.
Durante l’evento Flash Memory Summit and Exhibition, in corso di svolgimento a Santa Clara (California), Samsung ha svelato nuovi chip V-NAND e un nuovo formato per i dispositivi di memorizzazione di tipo M.2.

Le nuove V-NAND a marchio Samsung permettono di conservare 1 Tb per singolo chip: creando un singolo package a 16 livelli è quindi possibile realizzare un chip di memoria da ben 2 TB.

Samsung ha pensato di creare un fattore di forma fuori standard (NGSFF) per il mercato server (dimensioni pari a 30,5 x 110 x 4,38 mm). Combinando più chip si può creare un sistema di memorizzazione utilizzabile in un comune rack 1U.

I tecnici della società hanno mostrato un sistema di storage 1U da 576 TB realizzato “affiancando” 36 SSD da 16 TB in formato NGSFF.

Samsung è poi tornata sulla sua tecnologia Z-SSD, alternativa a 3D Xpoint (Optane di Intel e QuantumX di Micron).
Z-SSD era stata presentata l’anno scorso ed è contraddistinta da performance elevatissime unite a una latenza che è pari a un settimo di quella di un SSD NVMe.

Grazie alla tecnologia proprietaria Key Value, anziché memorizzare le informazioni in blocchi, i dati vengono salvati assegnando specifiche locazioni di memoria a ciascun valore, indipendentemente dalla sua dimensione, permettendo un accesso molto più veloce e diretto.