Samsung presenta memorie UFS 5.0: fino a 11 GB/s, più velocità per smartphone e AI locale

La memoria di archiviazione è diventata uno degli elementi più importanti nella progettazione degli smartphone: oggi il carico generato dall’intelligenza artificiale eseguita direttamente sul dispositivo sta modificando le priorità dei produttori. Modelli linguistici locali, sistemi di traduzione in tempo reale, elaborazione avanzata delle immagini e assistenti generativi richiedono infatti una quantità crescente di dati da leggere e scrivere in tempi estremamente ridotti.

In questo scenario Samsung ha annunciato lo sviluppo della prima soluzione UFS 5.0 disponibile nel settore, una tecnologia destinata a ridefinire le prestazioni dello storage mobile. La nuova generazione raggiunge una banda massima di 10,8 GB/s e punta a sostenere le esigenze dei dispositivi AI di prossima generazione: dagli smartphone premium fino ai visori XR e ai dispositivi indossabili evoluti.

Perché la memoria flash è diventata centrale nell’era dell’AI locale

Molte funzioni di intelligenza artificiale stanno progressivamente abbandonando il cloud per essere eseguite direttamente sul dispositivo: la scelta non dipende soltanto dalla velocità, ma anche dalla necessità di ridurre i costi operativi, migliorare la privacy e garantire risposte immediate senza connessione Internet.

Quando uno smartphone esegue un modello AI locale, il SoC deve accedere rapidamente a enormi quantità di dati memorizzati nella memoria interna. Se la velocità dello storage non è sufficiente, anche il chip più potente finisce per attendere il caricamento delle informazioni. L’esperienza utente dipende quindi non soltanto dalla capacità di calcolo del SoC, ma dalla velocità con cui dati e modelli possono essere trasferiti tra memoria e unità di elaborazione.

Per questa ragione la memoria flash sta assumendo un ruolo simile a quello che RAM e SSD hanno acquisito lato PC. Samsung sottolinea proprio questo aspetto: la memoria non rappresenta più un semplice deposito di dati, ma una componente direttamente coinvolta nell’esecuzione dei carichi AI.

Le caratteristiche tecniche delle nuove memorie UFS 5.0 Samsung

La nuova soluzione Samsung utilizza il più recente standard definito da JEDEC per la memoria flash integrata nei dispositivi mobili.

Il dato più impressionante riguarda la velocità sequenziale in lettura, che raggiunge 10,8 GB/s, mentre la scrittura arriva fino a 9,5 GB/s. Secondo l’azienda si tratta di valori superiori di oltre due volte rispetto alla precedente generazione UFS 4.1.

Dal punto di vista tecnico, l’evoluzione dello standard UFS 5.0 è associata a nuove modalità di trasmissione dati capaci di aumentare sensibilmente la larghezza di banda disponibile. Le specifiche pubblicate negli ultimi mesi da JEDEC prevedono infatti velocità prossime agli 11 GB/s attraverso miglioramenti dell’interfaccia fisica e del protocollo di comunicazione tra controller e memoria NAND.

Le velocità elevate attirano l’attenzione, ma la vera sfida consiste nel mantenere consumi energetici accettabili.

Samsung dichiara un miglioramento superiore al 40% nell’efficienza energetica rispetto alla propria soluzione UFS 4.1. Il risultato deriva dall’impiego di tecniche come il clock gating, che riduce l’attività delle sezioni circuitali non necessarie in un determinato momento, e dall’utilizzo di architetture a multi-voltage, progettate per ottimizzare il consumo energetico in funzione del carico di lavoro.

I benefici reali dipenderanno comunque dall’integrazione effettuata dai produttori di smartphone. Le prestazioni massime sono generalmente raggiunte in condizioni ideali e per intervalli di tempo limitati. La gestione termica, le dimensioni della batteria e le ottimizzazioni software continueranno a influenzare l’esperienza quotidiana degli utenti.

Dimensioni ridotte e maggiore libertà progettuale

Un altro elemento interessante riguarda il formato fisico del componente. Samsung ha realizzato un package da 7,5 x 13 x 0,9 millimetri, con una riduzione del 16,7% rispetto alla generazione precedente.

La miniaturizzazione offre vantaggi concreti: ogni millimetro recuperato all’interno di uno smartphone può essere destinato a batterie più grandi, sistemi di raffreddamento più efficaci oppure sensori fotografici più complessi. Lo stesso discorso vale per smartwatch avanzati e visori XR, categorie nelle quali lo spazio interno rappresenta una risorsa estremamente limitata.

Quali dispositivi adotteranno per primi UFS 5.0

Samsung prevede di avviare la produzione di massa durante il quarto trimestre del 2026 e offrirà capacità fino a 1 TB.

Le prime destinazioni delle nuove memorie UFS 5.0 saranno probabilmente gli smartphone di fascia alta, seguiti da dispositivi XR e wearable dotati di funzionalità AI sempre più sofisticate.

Il debutto di UFS 5.0 evidenzia una trasformazione più ampia dell’hardware mobile: l’AI richiede sottosistemi di memoria capaci di trasferire grandi quantità di dati con latenza minima e consumi contenuti.

Samsung prova a posizionarsi in anticipo rispetto a una domanda che potrebbe crescere rapidamente nei prossimi anni. La combinazione di velocità superiori ai 10 GB/s, maggiore efficienza energetica e dimensioni ridotte rende UFS 5.0 una delle evoluzioni più rilevanti nel settore della memoria flash mobile.