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Kioxia (Toshiba) presenta una nuova memoria 3D NAND, a semicerchio

Kioxia (Toshiba) presenta una nuova memoria 3D NAND, a semicerchio

Nuova struttura per i chip di memoria 3D NAND del futuro: per spingersi oltre le celle PLC ed estendere ulteriormente le capacità di memorizzazione.

Gli ingegneri di Kioxia, nuovo nome di Toshiba Memory, hanno mostrato gli ultimi progressi compiuti nel campo delle memorie flash destinate alle future unità allo stato solido. Con il preciso obiettivo di aumentare ancora la densità dei dati, i tecnici di Kioxia hanno parlato dei cambiamenti sulla struttura delle celle ai quali stanno lavorando. Rispetto all'attuale architettura circolare, è stata progettata una struttura a semicerchio chiamata Twin BiCS.

Ad oggi nelle memorie 3D NAND più strati (attualmente fino a 100 ma nel prossimo futuro ci si spingerà fino a 150 layer) vengono impilati per estendere le capacità di memorizzazione.
Le celle Twin BiCS vengono tagliate in due così da aumentare ulteriormente le capacità di memorizzazione dati. Il concetto è chiaro nell'immagine che segue: a destra il prototipo della struttura proposta e la corrispondente vista trasversale.

Kioxia (Toshiba) presenta una nuova memoria 3D NAND, a semicerchio

La "mossa" degli ingegneri di Kioxia di fatto porta a un raddoppio del volume finale utilizzabile anche se ciò introdurrà problemi in termini di durata nel tempo delle singole celle e di gestione delle tensioni in gioco.


Kioxia (Toshiba) presenta una nuova memoria 3D NAND, a semicerchio

Certo le memorie Twin BiCS non saranno disponibili sul mercato nel breve termine ma continua la corsa verso la realizzazione di chip di memoria ancora più miniaturizzati e, allo stesso tempo, capaci di conservare maggiori quantitativi di dati. Già quest'estate Toshiba parlava dei primi chip 3D NAND PLC (5 bit per cella; vedere SSD, Toshiba parla delle sue memorie NAND PLC: 5 bit per cella): con Twin BiCS la sfida si fa ancora più dura.

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