3208 Letture
Samsung presenta le nuove memorie HBM2 Flashbolt fino a 4,2 Gbps

Samsung presenta le nuove memorie HBM2 Flashbolt fino a 4,2 Gbps

Samsung fa proprie le nuove specifiche per le memorie HBM2 definite da JEDEC e conferma l'arrivo di chip di memoria ancora più veloci.

La memoria HBM (High Bandwidth Memory) è stata sottoposta a una revisione da parte di JEDEC, l'organismo di standardizzazione che ne ha seguito lo sviluppo. È stato quindi approvato il nuovo standard per le memorie HBM2 a 3,2 Gbps abbandonando la nomenclatura precedentemente definita: avrebbe dovuto essere HBM2E, anche se Samsung sembra mantenerla in essere, almeno nei suoi comunicati stampa.

Samsung presenta le nuove memorie HBM2 Flashbolt fino a 4,2 Gbps

Il nuovo standard in termini di performance non influisce sulla capacità del die, che resterà a 16 Gb (2 GB) con la possibilità di impilare fino a 12 strati su un singolo chip in modo tale da ottenere 24 GB, con una larghezza di banda totale di 410 GB/s ad una tensione di 1,2 V.

Il vantaggio della memoria HBM2 rispetto alla più diffusa GDDR6 è che può combinare la larghezza di banda di più chip e assicurare fino a 1640 GB/s in fase di trasferimento dati.
Con un solo chip HBM2 offre una larghezza di banda quasi pari a quella delle memorie GDDR6 a 14 GHz, che si attesta a 448 GB/s.


Samsung è la prima azienda ad annunciare la produzione di massa delle memorie HBM2 a 3,2 Gbps entro la prima metà di quest'anno: Flashbolt è il nome assegnato loro.
I chip possono arrivare a trasferire i dati fino a 4,2 Gbps con una larghezza di banda pari a 538 GB/s per chip. Samsung utilizza un processo litografico 1y nm, quindi compreso tra 14 e 16 nm.

Samsung presenta le nuove memorie HBM2 fino a 4,2 Gbps