giovedì 28 febbraio 2019 di Michele Nasi 3553 Letture
Samsung presenta le prime memorie UFS 3.0 da 512 GB

Samsung presenta le prime memorie UFS 3.0 da 512 GB

La società sudcoreana anticipa la concorrenza e lancia i primi chip di memoria ultraveloci UFS 3.0.

Samsung anticipa i diretti rivali annunciando l'avvio della produzione delle prime memorie ultraveloci UFS 3.0 su chip da 512 GB. Per motivi di tempo, la società sudcoreana non è riuscita a integrare la nuova memoria nel Galaxy S10 che è invece pronta, adesso, per i futuri top di gamma.

Samsung presenta le prime memorie UFS 3.0 da 512 GB

La nuova memoria consente di ottenere velocità di trasferimento dati fino a 2100 MB/s e 410 MB/s rispettivamente in lettura e scrittura sequenziale così come 63.000-68.000 IOPS in lettura/scrittura random 4K.

Il balzo in avanti è già notevole rispetto alle memorie UFS 2.1 lanciate da Samsung a gennaio e pone le eUFS 3.0 sostanzialmente in linea con le prestazioni offerte dalle unità SSD SATA3. Come termine di paragone, le memorie eMMC 5.0 e 5.1 utilizzate nella stragrande maggioranza dei dispositivi mobili si attestano sui 7.000-13.000 IOPS nelle operazioni di lettura/scrittura random 4K.


I responsabili di Samsung hanno confermato che i primi chip eUFS 3.0 da 512 GB e 128 GB sono già in produzione mentre le versioni da 256 GB e 1 TB seguiranno nella seconda parte di quest'anno.

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