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Western Digital e Kioxia presentano le prime memorie 3D NAND BiCS5 a 112 strati

Western Digital e Kioxia presentano le prime memorie 3D NAND BiCS5 a 112 strati

Le due società alzano ulteriormente l'asticella e presentano le nuove memorie BiCS5. Già in produzione, bisognerà attendere la seconda parte dell'anno per vederle sul mercato in quantitativi più importanti.

I produttori di memorie NAND sono impegnati nel cercare di aumentare le capacità di memorizzazione per ogni wafer prodotto: ciò impone di accrescere il numero di layer utilizzati su ogni singolo chip.
Western Digital e Kioxia, ex Toshiba Memory, hanno annunciato l'imminente arrivo sul mercato di una nuova memoria, battezzata BiCS5 (dove BiCS è acronimo di Bit Column Stacked), formata da ben 112 strati rispetto ai 96 di BiCS4.

Western Digital e Kioxia presentano le prime memorie 3D NAND BiCS5 a 112 strati

Le due aziende hanno fatto presente di aver già iniziato la produzione su chip di tipo TLC (tre bit per cella) da 512 Gb (64 GB) ma i primi esemplari delle memorie BiCS5 non saranno disponibili in volumi significativi fino alla seconda metà di quest'anno.


Western Digital e Kioxia stanno preparando anche una memoria BiCS5 da 1 Tb (128 GB) e 1,33 Tb (170 GB) di tipo QLC (quattro bit per cella): vedere SSD QLC, sono veloci e affidabili anche se sulla carta non dovrebbero esserlo.

L'aumento della densità dovuto al nuovo modo di produrre i chip spostando la logica di controllo delle celle di memoria sotto le stesse, ha portato a chiamare queste memorie NAND 4. La densità di bit per wafer viene aumentata di circa il 40% rispetto alla generazione precedente riducendo il costo per gigabyte.

Stando a quanto riferito, la transizione verso le memorie a 112 strati dovrebbe essere un po’ più lenta e i chip a 96 layer dovrebbero restare punto di riferimento ancora per lungo tempo.

Western Digital e Kioxia presentano le prime memorie 3D NAND BiCS5 a 112 strati